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MOSFET como resistencia controlada por voltaje

Si hallas algún fallo en tu código o trabajo, recuerda probar siempre en un ambiente de testing antes añadir el código al proyecto final.

Solución:

Técnicamente, el MOSFET puede funcionar como una resistencia variable, pero hay dos problemas principales:

  1. En la región óhmica (que es bastante estrecha en términos de voltaje de salida) la linealidad es pobre y también depende del voltaje de entrada. No será muy fácil ajustarlo para que se comporte como una resistencia adecuada.

  2. La resistencia de salida de los MOSFET generalmente no es un valor preciso y será difícil obtener el valor exacto de la hoja de datos. Lo que puedes hacer es medirlo para varios voltajes de entrada y salida, y crear una tabla con los valores. Pero si no necesita que sea preciso, puede usar los gráficos en la hoja de datos.

Otra opción puede ser utilizar una videograbadora integrada.

Sí, Sergej. ¡Tienes 100% razón!

Un MOSFET se puede usar fácilmente como una resistencia variable. Debe considerar algunos parámetros importantes antes de usarlo como una resistencia variable. Las cosas principales son

  1. La resistencia mínima que necesita y el $ R_DS(on) $ del MOSFET que ha elegido.

  2. El comportamiento del MOSFET en la región lineal es similar para casi todos los MOSFET.

Ahora veremos cómo podemos usarlo como una resistencia variable haciendo uso de las siguientes curvas características de MOSFET
Corriente de drenaje frente a características de voltaje de drenaje para Vgs dados

  1. Cuando $ V_GS $ está por debajo de $ V_th $ del MOSFET, está en un modo de corte, lo que significa que todo el voltaje de suministro aparece en el MOSFET. Significa que ahora el MOSFET está actuando como una carga abierta con resistencia infinita.

  2. Cuando aumenta lentamente el voltaje de la compuerta, el MOSFET comienza a conducir lentamente al ingresar a la región lineal donde comienza a desarrollar voltaje a través de ella, lo que llamamos $ ​​V_DS $. En esta región el MOSFET actúa como una resistencia de valor finito.

  3. Ahora, cuando el MOSFET ingresa a la región de saturación, la resistencia del MOSFET es la menor y es igual a $ R_DS(on) $ del MOSFET que se menciona en el circuito.

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