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Los MOSFET reales no son dispositivos perfectos, no se encienden o apagan simplemente con el voltaje Gate-Source aplicado. La cantidad de corriente “ON” a través de Source to Drain es una función del voltaje GS aplicado. Es una función empinada, pero continua. Este es un ejemplo de esta dependencia, de un tutorial:
Las hojas de datos para MOSFET intentan simplificar este parámetro funcional proporcionando puntos de “esquina”.
El voltaje V”th” es el voltaje donde la corriente de drenaje es apenas medible, en el caso OP es de 250 uA, lo que sucede a 4 V.
El “voltaje de accionamiento” (enumerado como 10 V) es el voltaje cuando el MOSFET está conduciendo según las especificaciones completas y puede entregar 8,4 A de corriente y tener la resistencia Rds (encendido) especificada de menos de 0,2 ohmios.
Para complementar lo que Stefan Wyss dijo correctamente en su respuesta, le daré la justificación de ese parámetro.
Los MOSFET de potencia se usan a menudo para conmutar, por eso una R bajaDS (encendido) es importante en el cambio de aplicaciones. Sabiendo a qué voltaje se puede alcanzar esa RDS (encendido) es un parámetro importante porque puede saber de inmediato, sin mirar las curvas en la hoja de datos, si su circuito podría activar ese MOSFET por completo o no.
Por ejemplo, si necesita cambiar una carga de 10 A con una RDS (encendido) de no más de 10 mΩ, puede buscar esos parámetros. Pero si esa RDS (encendido) solo se puede obtener a 10 V, mientras que solo tiene una MCU alimentada con 5 V sin otro riel de alimentación, sabe que ese MOSFET no es adecuado (o necesitará un circuito adicional para funcionar).
El voltaje de excitación es el voltaje de puerta a fuente Vgs donde el static el drenaje a la fuente en la resistencia RDS_ON se especifica en la hoja de datos, generalmente a 25 °C.
En la hoja de datos vinculada, RDS_ON se especifica como 0,2 ohmios máx. (a Vgs = -10V).
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