Este team redactor ha estado largas horas investigando respuestas a tus interrogantes, te dejamos la resolución por eso esperamos servirte de mucha apoyo.
Solución:
Vce(sat) es el voltaje medido en el colector en relación con el emisor en las condiciones especificadas (por ejemplo, 150 mA de flujo de corriente de colector y 15 mA de corriente de base aplicada (beta forzada de 10, obtenida al dividir Ic por Ib, por lo tanto, 150 sobre 15 mA) ).
Vbe(sat) es el voltaje medido en la base en relación con el emisor en las condiciones especificadas, como se indicó anteriormente.
Entonces, si desea cambiar una carga de 150 mA en esas condiciones con (digamos) una entrada de 10 V, utilizará el último número para determinar el valor de resistencia requerido para obtener la corriente de base mínima necesaria (y asegúrese de no exceder ningún máximo si se especifica el Vbe(sat) mínimo).
¿Cuál es la diferencia entre Vbe(sat) y Vce(sat)?
Vce(sat)-Vbe(sat)= Vcb (sat) se define donde la ganancia de corriente cae a 10 como un interruptor en lugar de una fuente de corriente.
Se trata de 1 voltio @ 500mA y ~ 0.9V @ 150mA ambos en Ic/Ib=10 de la tabla anterior.
- usando Ic/Ib=10 en la mayoría de los casos (~ 10% del peor caso hFE)
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Vbe tiene una unión PN muy dopada con base que se extiende R o equiv. serie R,
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ESR(be) = ΔVbe/ΔIb = (2,0-1,2)V/(50-15)mA = 23 Ω en este rango.
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De manera similar para Rce o ESR(ce)=(1.0-0.3)V/(500-150)mA= 2 Ω (o 10 veces menor)
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En realidad, Vcb se polariza hacia adelante en saturación, por lo que la calidad de Vce súper bajo depende de cómo se dopa y procesa (patenta) el transistor.
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Mientras que el valor real de Rce depende del tamaño del chip en el interior y sus propiedades térmicas.
- Espero que este transistor disipe Pdmax=1/ESR(ce) = 1/Rce = 0.5W (más o menos 50%)
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